左字的结构是什么结构

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左字的结构是什么金融界2024年3月20日消息，据国家知识产权局公告，金卡智能集团股份有限公司取得一项名为“一种基于电容量判断字轮位置的计数结构“授权公告号CN109540178B,申请日期为2018年12月。专利摘要显示，本发明涉及计量计数技术领域，尤其涉及一种基于电容量判断字轮位置的计数等会说。

●＾● 左字的结构是什么样的金融界2024年3月13日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“集成电路器件及其制造方法“授权公告号CN110911416B,申请日期为2019年6月。专利摘要显示，一种集成电路器件包括字线结构、绝缘结构、沟道孔和电荷捕获图案。字线结构和绝缘结构彼此交错等我继续说。

长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体储存器的晶体管结构及其制造方法“授权公告号CN110299324B,申请日期为2018年3月。专利摘要显示，本发明提出一种半导体储存器的晶体管结构及其制造方法，该方法包括：在衬底上形成有源区及与之相交的字线；在两个字线之间形成接触好了吧！

形成晶体管结构于所述第一沟槽内，所述晶体管结构包括覆盖所述第一沟槽内壁的栅极层、以及位于所述栅极层内的有源结构；形成沿所述第二方向延伸的字线，所述字线包覆沿所述第二方向间隔排布的多个所述存储区域内的所述栅极层。本公开简化了水平字线的形成工艺，降低了半导体后面会介绍。

●＾● 目标栅极沟槽的沿第二方向延伸的侧壁包括由内至外依次叠置的第一子侧壁及第二子侧壁；于目标栅极沟槽内形成环绕目标半导体层的两个沿第二方向间隔的栅极结构。本公开至少能够在确保单位体积内存储单元数量不减少的情况下，增加单个存储单元结构中栅极结构与字线结构的厚度说完了。

金融界2023年12月12日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“字线引出结构及其制备方法“授权公告号CN113745193B,申请日期为2020年5月。专利摘要显示，本申请涉及一种字线引出结构及其制备方法，在衬底上形成沿X轴方向延伸的字线；形成沿Y轴方向后面会介绍。

第二沟槽隔离结构及第三沟槽隔离结构；形成底面接触衬底上表面的两个间隔的栅极沟槽，目标半导体层位于栅极沟槽内的部分裸露并悬空；于栅极沟槽内形成环绕目标半导体层的栅极结构。本公开实施例至少能够在确保单位体积内存储单元数量不减少的情况下，增加字线结构所占空间体小发猫。

ˇ﹏ˇ 形成字线，字线位于阵列区的基底内；形成间隔层，间隔层至少位于外围区的保护层的顶面；去除位于外围区的间隔层和保护层；形成栅介质层，栅介质层位于外围区的基底的顶面；形成栅极结构，栅极结构位于外围区的栅介质层的顶面。可以在形成字线的时候保护外围区的结构防止外围区的结等会说。

自己构思文章结构，然后一个字一个字地打出来的，而且我也不知道别人有没有写同样的内容，我没有任何一点点模仿和借鉴！毕竟吃了一次亏，不想再吃亏了。 但是，平台不会听你解释，只要写的是同一个热点，而且别人发表得比你早，但凡有一句话相似，比如当事人说的话肯定写的时候都是一后面会介绍。

╯＾╰ 该器件包括：字线结构，在基板中并在第一方向上延伸；位线结构，在基板上在与第一方向交叉的第二方向上从单元区延伸到边界区，包括依次堆叠在基板上的第一单元导电层和第二单元导电层；以及位线接触，在基板和位线结构之间并将基板与位线结构连接。边界区中的第二单元导电层比单元还有呢？